Flash闪存分类介绍

2008-7-17 16:28 3668 0 分类: 消费电子
Flash闪存是非易失性存储器,这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后,内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash,而升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存。大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。


项目 
NOR flash
NAND flash
特点
芯片内执行
系统RAM
传输效率


写入/擦除操作的时间
5s
4ms
擦除器件时块大小
64128KB
832KB
接口
SRAM接口
I/O口来
寿命(耐用性)
十万次
一百万次


Nor Flash常常用于存储程序,最初MP3芯片不太成熟的时,曾经有使用过Nor Flash,比如炬力ATJ2075,SunplusSPCA7530等。目前这种Flash已经使用的不多了,只有少数的读卡MP3和数码相框中还有见到,因为这种支持SD卡的产品中没有内存,芯片内的ROM不够存储程序,所以需要用到Nor Flash存储程序。

另外AG-AND Flash 是日本Renesas(瑞萨)公司的技术,良品率不是很高,而且有效容量也比较低。原厂推出的Flash,容量有88%、92%、96%,96%可以用于MP3产品中,而另外两种只能用于U盘和SD卡产品中。我个人认为其性能比较差,尽量不要使用。现在Renesas已经推出Flash的生产商行列,而AG-AND技术也转给台湾力晶公司在继续生产。

Nand Flash也有几种,根据技术方式,分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level cell的缩写,意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell,意为该技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。

SLC与MLC的参数对比:


SLCMLC的参数对比:
项目
SLC
MLC
电压
3.3V/1.8V
3.3V
生产工艺
0.12um
0.16um
页容量/块容量
2KB/128KB
512KB/32KB or 2KB/256KB
访问时间(最大)
25us
70us
页编程时间(典型)
250us
1.2ms
可否局部编程
Yes
No
擦写次数
100K
10K
数据写入速率
8MB/S+
1.5MB/S


可想而知,SLC的技术存储比较稳定,SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit数据,这样同样大小的晶圆就可以存放更嗟氖荩簿褪浅杀鞠嗤那榭鱿拢萘靠梢宰龅母螅庖彩峭萘浚琈LC价格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC,MLC的价格比SLC低30%~40%,有些甚至更低。

为了区分SLC和MLC,我向大家介绍3个方法:

1、 看Flash的型号:根据Flash的命名规则,进行区分。

2、 格式化,看是否稳定:

目前市场上还流行黑片、白片的说法,这些都是Downgrade Flash的类型,由于Flash制程和容量的提升,内部的构成越来越复杂。而新的制程推出时,产品良率并不一定理想,那些不良的Flash有些是容量不足,有些是寿命不能达到要求,有些是测试不能通过,这些不能达到出厂要求的Flash都被称为Downgrade Flash。Downgrade Flash有些由厂家推向市场,比如Spectech等就是镁光(Micron)的Downgrade Flash。而另外一部分作为废品淘汰掉,但是利润驱使,这些废品也会低价被收购流入市场。一些厂家以各种方案的扫描工具(Soting Board)来检验出来哪些能够使用。这些厂家收购Flash按斤回收,通过少则数十台Soting Board,所则上千台Soting Board一同扫描,每天有上百K的产能。大部分Downgrade Flash被做成SD卡,少数用于U盘,极少数厂家用于生产MP3。Downgrade Flash的处理方式多数是降低容量出售。可是不论怎样处理,都还是存在问题隐患。但由于价格低廉,Downgrade Flash的市场正在进一步成长。大家购买产品时可要注意了!

 

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