原创 关于razavi模拟CMOS集成电路设计的心得

2008-9-22 20:43 3984 1 3 分类: 模拟
1.衬底电势是会影响阀值电压的,因而也影响Vgs过驱动电压,在其他端子都保持电压稳定的情况下,

漏电流是衬底电压的函数。我是不是CMOS 是一个四端元件,衬底也是另一个端子。

2.其他参数不变,随Vds的增大(从0开始)CMOS 的状态:饱和区----》线性区,这个比较难理解(老

娘理解了许久),参见图示和RAZAVI的著作。

3.input/output resistance ,  linear  ,  增益  ,  consumption....是互相制约的关系

4.Vgd<|Vth| 时MOSFET饱和,沟道夹断。

5.Vgs足够高,使Vgs-Vth >>Vds, N-CHANNLmosfet进入深线性区

这种情况的话,跨导gm不是应该


提高才对吗?

怎么教材说“线性区跨导下降”

楼下的同学如果知道,请跟个贴



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文章评论 2条评论)

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huan_3030150498 2011-2-23 13:22

书上2.10式为 Id=U×C×W/L×(Vgs-Vth)×Vds,让该式对Vgs求导得到线性区gm=U×C×W/L×Vds。而饱和区gm=U×C×W/L×(Vgs-Vth)。又因为Vgs-Vth >>Vds,所以跨到减少。

diablo77521_574237640 2008-9-25 15:19

国外的教材很难搞懂啊-Vgs足够高,使Vgs-Vth >>Vds, N-CHANNLmosfet进入深线性区 这种情况的话,跨导gm不是应该提高才对吗? 怎么教材说“线性区跨导下降” 楼下的同学如果知道,请跟个贴
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