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原创 横向和纵向晶体管的区别

2008-10-8 14:09 6258 0 分类: 模拟

1.集成NPN晶体管





 

 

      
在双极型线性集成电路中
NPN晶体管的用量最多,所以它的质量对电路性能的影响最大。集成NPN晶体管的结构示意图如图269所示。它是在P型衬底上扩散高掺杂的N+型掩埋层,生长N型外延层,扩散P型基区、N+型发射区和集电区而制成的。其中N+型掩埋层的作用是为了减小集电区的体电阻。

 1y2.gif 






2.集成PNP晶体管




集成PNP晶体管有纵向和横向两种结构形式。


1)纵向PNP


       
纵向
PNP管结构如图270左半边所示,它是以P型衬底作为集电极,因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直方向运动的,故称为纵向PNP管。这种管子的基区可准确地控制使其很薄,因此它的电流放大系数b
较大。由于纵向PNP管的集电极必须接到电路中电位的最低点,因而限制了它的应用。在电路中它通常作为射极跟随器使用。


1y3.gif 




2)横向PNP


横向PNP管结构如图270右半边所示,这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的水平方向运动的,故称为横向PNP管。由于受工艺限制,基区宽度不可能很小,所以它的b值相对较低,一般为十几倍到二、三十倍。横向PNP管的优点是:发射结和集电结都有较高的反向击穿电压,所以它的发射结允许施加较高的反压;另外它在电路中的连接方式不受任何限制,所以比纵向PNP管有更多的用途。它的缺点是结电容较大,特征频率fT较低,一般为几~几十兆赫。

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