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MOS管主要参数

2012-11-15 21:26 382 0 分类: 模拟 文集: 模拟电子基础

 

MOS管主要参数:

http://www.elecfans.com/article/88/131/sz/2009/2009040645141.html

1.开启电压VT
  ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;
  ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;
  ·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。

2. 直流输入电阻RGS
  ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
  ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
  ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BVDS
  ·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
  ·ID剧增的原因有下列两个方面:
  (1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿
  (2)漏源极间的穿通击穿
  ·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后
,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID

4. 栅源击穿电压BVGS
  ·在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS

5. 低频跨导gm
  ·在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
  ·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
  ·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
  ·一般在十分之几至几mA/V的范围内

6. 导通电阻RON
  ·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
  ·在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大 ,一般在几十千欧到几百千欧之间
  ·由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
  ·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内

7. 极间电容
  ·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
  ·CGS和CGD约为1~3pF
  ·CDS约在0.1~1pF之间

8. 低频噪声系数NF
  ·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
  ·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输   出端也出现不规则的电压或电流变化
  ·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB)
  ·这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小
  ·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
  ·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小

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