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MOS管应用概述(三):米勒振荡的应对

2018-11-25 20:53 3679 16 3 分类: 电源/新能源 文集: 电源
上一节讲到,米勒振荡是因为强的负反馈引起的开关振荡,导致二次导通,对于后级大功率半桥、全桥等H桥拓扑结构应用中,容易导致上下管子瞬间导通从而炸毁管子,这个是开关电源设计中最核心的一环,所以如何避免米勒振荡可以认为是开关电源设计的核心关键。

A、减缓驱动强度

1、提高MOS管G极的输入串联电阻,一般该电阻阻值在1~100欧姆之间,具体值看MOS管的特性和工作频率,阻值越大,开关速度越缓。
2、在MOS管GS之间并联瓷片电容,一般容量在1nF~10nF附近。看实际需求。
调节电阻电容值,提高电阻和电容,降低充放电时间,减缓开关的边沿速度,这个方式特别适合于硬开关电路,消除硬开关引起的振荡。

B、加强关闭能力
1、差异化充放电速度,采用二极管加速放电速度

2、当第一种方案不足时,关闭时直接把GS短路


3、当第二种方案不足时,引入负压确保关断。



C、增加DS电容
在ZVS软开关电路中,比如UC3875移相电路中,MOS管DS之间,往往并联无感CBB小电容,一般容量在10nF以内,不能太大,有利于米勒振荡,注意该电容的发热量,频率更高的时候,需要用云母电容


D、提高漏极电感方式
相对应方案C的提高DS电容方式,该方案则采用提高漏极的电感方式
1、在漏极串联镍锌磁珠,提高漏极电感,减缓漏极的电流变化,降低米勒振荡,这个方案也是改善EMC的方法之一,效果比较明显,但该方案不适合高频率强电流的场合,否则该磁珠就发热太高而失效。
2、PCB布线时,人为的引入布线电感,增长MOS管漏极、源极的PCB布线长度,比如方案C的图中,适当提高半桥上下MOS管之间的引线,对改善米勒振荡有很大的影响,但这个需要自身的技术水平较高,否则容易失败,此外布线长度提高,需要相应的考虑MOS管的耐压,严重的,需要加MOS管吸收电路。

E、常用的MOS管吸收电路,利于保护MOS管因关闭时产生过高的电压导致DS击穿,对米勒振荡也有帮助,电路形式多样,以下列举四种,应用场合不同,采用不同的方式。

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文章评论 4条评论)

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turbocharger 2018-12-1 00:23

极具价值的理论分析和经验总结,佩服

雪枫21 2018-11-28 08:41

非常感谢楼主分享,学习了!

wjx943_536273043 2018-11-27 20:55

学习分享

eeNick 2018-11-26 11:45

学习
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