MOS管应用概述(四):基本参数

2018-12-1 11:34 2497 18 15 分类: 电源/新能源 文集: 电源
mos管的基本参数,大家熟悉的必然是Ids电流,Ron导通电阻,Vgs的阈值电压,Cgs、Cgd、Cds这几项,然而在高速应用中,开关速度这个指标比较重要。

上图四项指标,第一项是导通延时时间,第二项是上升时间,第三项是关闭延时时间,第四项是下降时间。定义如下图:


在高速H桥应用中,MOS管内部的反向并联寄生二极管的响应速度指标Trr,也就是二极管的反向恢复时间这个指标很重要,否则容易炸机,下图为高速二极管。

高速下,二极管也不是理想的,二极管导通后,PN节中充满了电子和空穴,当瞬间反向加电的时候,需要时间恢复截止,这个类似一扇门打开了,需要时间关上,但在高速下,这个关上的时间太长,就会导致H桥上下管子导通而烧坏。所以在高速应用中,直接因为MOS管工艺寄生的二极管的反向恢复时间太长,所以需要用特殊的工艺制作实现高速的内置二极管,但哪怕特殊工艺制作的,其性能也达不到独立的高速二极管性能,只是比原MOS管寄生的指标强一些而已,但已经满足大部分软开关的需求了,500KHz下没问题。比如Infineon的C6系列,后缀带CFD的管子,内部的二极管就是高速的。
若有些场合需要更高速的二极管,而内置的二极管性能达不到,则需要特殊的处理方式,MOS管先串联二极管,再外部并二极管,这样子实现,可以应用于频率超过500KHz的场合。
广告

文章评论 5条评论)

登录后参与讨论

blueice_net 2019-1-2 09:53

感谢分享~~~~~

揚州阿信 2018-12-10 09:10

復習 + 學習 !!

eeNick 2018-12-7 16:45

谢谢学习了

wjx943_536273043 2018-12-5 20:26

感谢分享

rdg1993 2018-12-3 13:42

感谢分享,学习
相关推荐阅读
凤舞天 2019-01-20 20:07
运放的压摆率与增益带宽积,到底是怎么个关系?
今天在ADI上寻找一颗高速运放,但是看了ADI的运放列表,把我弄闷了,到底是选择压摆率高的还是增益带宽积大的。如下图:LT6275是40M增益带宽积,但是压摆率却到2.2K,非常高,相反LT6203X...
凤舞天 2019-01-13 12:53
雨滴慧目图像识别项目的产品定义过程详解!
需求来源:      俊知焊齿机的合金刀头上料机构,采用基恩士的光纤激光识别,对于一些对称性比较强的合金刀头,容易误判,所以高端的焊齿机采用价格昂贵的图像识别系...
凤舞天 2019-01-01 19:50
半导体空穴到底怎么导电的?
我们熟悉的半导体材料,常用的是P、N类型的,硅(SI)中掺杂元素硼(B),因为B三价,相对于SI的4价来说,缺少一颗电子,把这个缺失的部分叫做空穴,这类掺杂B的叫P型材料。对应的,掺杂了元素磷(P),...
凤舞天 2018-12-22 22:13
孩子的教育不应该只是学习,更应该是去挑战
大家会发现,很多优秀的知识分子,自己水平很高,但是自己的孩子却教不好,很多老师的孩子,小学成绩很好,初中也不错,但是到了高中,大学之后,很多走向平庸,这个似乎违背我们的认知。现在自己有小孩了,也面临知...
凤舞天 2018-12-01 10:36
努力之前请先学会思考
公司这么多年下来,有一些人一直很努力,也很听话,让他做什么就做什么,然而一直以来他们很少自己主动做事,挑头做事,往往都是打个下手,听命令行事,一天无忧无虑,看看手机上上网,乐呵呵的,估计睡觉很容易睡着...
我要评论
5
18
广告