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原创 IT界制程工艺大佬酝酿新变革

2014-12-18 14:02 173 0 分类: 工业电子
英特尔公布了在2013年将14纳米制程技术应用于制造中央处理器以及SoCs的计划,以及计划在2015年研发10纳米及其以下的制程技术。在旧金山举行的英特尔信息技术峰会,公司高级研究员Mark Bohr表示技术路标展示了因特尔在半导体制造工艺技术上始终处于行业领头的地位。   英特尔公布了即将到来的代号为P1272 and P1273的14纳米制程技术,其准备于2013年投产。供应商宣称将将在三个州生产测试上述产品。   英特尔已经进入了14nm工艺水平 AMD和NV怎么看?   英特尔先前确认对上述三种fab投资以应用于14纳米及更低的制程技术。   此外,英特尔宣称对10纳米,7纳米,5纳米制程技术的研究将开始于2015年。   2011年5月,英特尔宣称其三维三栅级晶体管取得了突破性的进展,能够使芯片以低电压较少泄漏量的情况下工作,与老式的晶体管相比在表现性能和能源利用率方面提高了很多。新型的晶体管已应用于第三代酷睿i系列处理器于2011年底大批量生产。由此可以看出英特尔目前不仅制造工艺取得了巨大突破,甚至远远领先了台积电和三星的同级别工艺,而NVIDIA和AMD目前连20nm都没能用上的情况下会如何评论呢? 《电子技术设计》网站版权所有,谢绝转载 ARM与台积电宣布共同采用10nm FinFET工艺 在宣布将以16nm FinFET制程技术量产ARM 64位处理器后,台积电再进一步与ARM携手宣布,未来将透过10nm FinFET制程技术制作64位架构ARMv8-A处理器 ,预计最快在2015年第四季启用此项技术,届时将可支持各客户采用10nm FinFET制程技术完成64位ARM架构处理器的设计定案。 进一步缩减制程技术后,预期将使相同架构处理器产品能以更少电功耗发挥更高的运作效能,或是更进一步缩减硬件产品体积、散热所需空间等特性。 由于稍早台积电宣布将以16nm FinFET制程技术量产ARM 64位处理器后,三星随即也宣布将以14nm制程技术抢下苹果下一款处理器产品订单,因此台积电选择此时再次强调旗下10nm FinFET制程技术即将启用消息,也似乎有向三星叫阵意味。 《电子技术设计》网站版权所有,谢绝转载 三星开始14纳米芯片合约生产 12月12日,三星半导体业务及LSI系统业务部门总裁金奇南(Kim Ki-nam)表示,14纳米FinFET芯片工厂已经开始批量生产。不过,他并未透露这家工厂的客户。 三星这家14纳米制程工厂主要是为了拉拢台积电的客户。 三星为苹果生产的首批14纳米芯片很可能由这两家工厂制造,有传言称,苹果已经开始下单生产S1系统芯片,S1芯片将用于苹果智能手表。而业内最大的“应用处理器”(AP)巨头高通也已经和三星签订协议,准备生产下一代应用处理器。高通应用处理器有望出现在AMD新一代的GPU当中。 今年初,三星已经展示了14纳米芯片的样品。 三星表示,和20纳米芯片相比,14纳米FinFET芯片省电35%,处理性能提高20%,节省15%的空间。 《电子技术设计》网站版权所有,谢绝转载 台积急起直追 差距将缩小 三星证实14纳米制程已进入生产阶段,左右与台积电16纳米的市占落差,业界认为,台积电已全力追赶,明年虽然还是会落后三星,但双方差距将会缩小。 三星首度出现在台积电的雷达屏幕上,靠的就是14纳米制程,并让台积电董事长张忠谋坦言,明年16纳米市占率将输给三星。 业界认为,三星的14纳米制程月产能已有2.5万片,台积电则要等到明年6月底前,才能备足5万片的16纳米FinFET+产能,在产能落差下,明年上半年苹果A9处理器订单确实可能略低于三星。 不过,业界认为,三星抢下的A9订单,应该是先出货给苹果的平板计算机使用为主,真正量大的iPhone要等到下半年台积电的产能到位,加上台积电急起直追,明年下半年台积电将会拉近与三星的落差。 张忠谋在评论与三星的14/16纳米之争曾表示:“这是策略使然。”由于台积电决定先发展20纳米,再着手进行16纳米,才会落后三星。但若是16纳米加上20纳米,还是领先对手。 台积电共同执行长刘德音日前曾于供应商大会上表示,台积电20纳米制程超越进度量产后,明年产出将持续倍增,估可占全年营收20%,加上16纳米量产及10纳米试产进度也超前,未来三年,这三项制程,将成为推升台积电营收成长三大技术主轴。 《电子技术设计》网站版权所有,谢绝转载 AMD无望于2015年推出16nm FinFET芯片 时间一晃又到了2014年的12月份,在辛苦工作了一年之后,大家都在等待着合家团圆,而IT行业也在酝酿着新的一年的改变。最新的消息是,AMD公司的 “Red Team”披露了其明年的APU和GPU规划,其中最引人注意的,自然是制程工艺的转变。然而外媒也指出,AMD的16纳米FinFET设计在2015年登陆主流市场并无望。 AMD首席技术官Mark Papermaster表示:“我公司的FinFET设计已经起步,但我们并不会是任何前沿技术的首个使用者”。换言之,我们可能要等到2016年才会盼到16nm FinFET工艺的量产。 当然,这话不难理解——因为AMD的产品尚未实现20nm工艺,所以更别提直接跳到16nm了。稍显安慰的是,在GPU工艺方面,该公司的主要竞争对手Nvidia也暂未实现20nm工艺。 此外,目前业内许多SoC产品也仍基于28nm制程打造。不过我们还是希望AMD能够努力一把,至少不要被苹果、英特尔和高通甩得太远。 此前,Mark Papermaster曾强调AMD将于2015年发布28nm和20nm产品。遗憾的是,该公司并没有透露传说中的Caribbean Islands GPU或新版Carrizo APU的任何规格。 我们只听说“Carrizo经过了非常给力的优化,带来了非常好GPU和图形性能”,并且该周期主要针对设计属性,而非纳米制程方面的跃进。 目前看来,Carrizo或将仍采用28nm工艺,而Caribbean Islands则有望吃上20nm。 背景资料: FinFET即“鳍式场效晶体管”的英文简称,它是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25纳米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。 《电子技术设计》网站版权所有,谢绝转载
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