原创 N-channel MOSFET中的门电荷(Gate Charge)和C_gs, C_gd的问题

2012-11-30 16:45 925 1 1 分类: 模拟 文集: LTSPICE

最近研究的一个模拟电路,里面涉及到了MOSFET开关从触发到闭合之间的延时问题。

在LTSPICE里面,MOSFET开关的模型主要有3个参数提供给我们比较,即V_ds, R_on和Cate C,其中R_on与Cate C的乘积反映了该开关的品质因数。一般来言,该乘积越小,品质因数越高。

一开始我考虑到Cate C与C_gs, C_gd是成正比关系的,Cate C的值越小,它们的值也越小,开关从触发到完全闭合之间过渡的时间也越短。

然而,本人无意中试了一款型号为IRFR120Z的模拟开关,它的Cate C很小,只有7nC,但是C_gs, C_gd却很大,分别是2.3nF和4.2nF。我用来触发该开关的电压信号是由一个10nF的电容提供的,所以导致该开关的延迟时间很大。

查看网上提供的数据手册,却发现里面没有给出C_gs, C_gd的具体值,所以也搞不清楚其与Cate C到底是什么关系。

不知有没有高手知道这种情况的,还望提供一些指点啊!

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