原创 关于存储器的一些基础知识整理

2019-8-12 16:26 339 2 3 分类: 电源/新能源

 RAM

  Random-Access-Memory,随机存储存储器,可读可写,分为SRAM和DRAM,即静态随机存储器和动态随机存储器,理解上静动态主要体现是否需要刷新,通常DRAM需要刷新,否则数据将丢失;SRAM的效率较好,而成本较高,通常将SRAM作为cache使用。

  PSRAM

  Pseudo static random access memory,伪SRAM伪随机存储器,内部和DRAM相似,接口和SRAM相似,具有自刷新功能,不需要外部刷新。而其成本介于SRAM与DRAM之间。

  单\双端口RAM

  单端口RAM同一时刻,只能满足读或写某一动作,而双端口RAM存在两套独立的地址、数据、读写控制等,可以同时进行两个操作,当然为避免冲突,存在一定的仲裁控制,成本也更高。伪双口RAM是只有两访问接口,单一个端口只读,另一个端口只能写。

  ROM

  Read-Only-Memory,只读存储器,通常使用时一次写好,使用时只能进行读操作,而不能进行写操作。

  CACHE

  高速缓冲存储器,由于存储器DDR/DRAM等相对于处理器访问速度较慢,增加的一级缓冲存储空间,当需要处理器需要访问内存某一块区域时,先缓存cache中,处理器访问cache速度较快;但同时也需要增加处理DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。

  TCM

  Tightly-Coupled-Memory 紧密耦合(链接)的存储器,是指和处理器链接紧密,基本可以看做和CACHE同一等级连接的存储空间(印象中ARM结构上和L2 CACHE同一层次),其存储空间的内容不会像CACHE处理一样经常替换。

  EEPROM

  Electrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器,掉电非易失的存储芯片,在特殊高电压模式下可以插写,普通模式下只读ROM。

  FLASH

  闪存,和EEPROM一样可擦除可重写,差别EEPROM总是按字节操作,FLASH可以按照字节块擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash,Nor-flash可以按照字节读取,而NandFlash只能按块读取,两者同样可以按照字节块擦除。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、数据线,成本比Nand-Flash高,而其可擦写次数低于NAND FLASH,一般嵌入系统中刚boot需要初始化的代码需要放置在Nor-Flash中。

  对于FLASH的读取总线可以有I2C、SPI串行型,也可以采用并行Parallel;同样Flash可以和处理器集成在一起或是通过总线外部访问。

  eMMC

  embedded multi media card,集成了NAND FLASH和控制部分的集成电路,提供像SD、TF(trans-flash)卡一样的使用接口。

  硬盘

  传统硬盘采用磁材料作为存储介质,固态硬盘使用FLASH,访问速度性能较好。 

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文章评论 2条评论)

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qkb_75_378033034 2019-8-13 11:04

有点太基础了,内容页太干瘪了。 楼主在每种 下面贴上器件实图,效果会好很多~~

curton 2019-8-13 09:03

学习了
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