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原创 四种方法搞懂DDR3的读写分离

2017-10-29 12:32 1760 0 分类: 智能手机

DDR3是目前DDR的主流产品,DDR3的读写分离作为DDR最基本也是最常用的部分,本文主要阐述DDR3读写分离的方法。

最开始的DDR, 芯片采用的是TSOP封装,管脚露在芯片两侧的,测试起来相当方便;但是,DDRIIIII就不一样了,它采用的是BGA封装,所有焊点是藏在芯片的底部的,测试起来非常不便,一般需要提前预留测试点。

DDR读写burst分析之前,首先得把read burstwrite burst分离出来,读写双向的数据全部都搁在DQSDQ上。那么,DDR的手册中,留下了那些线索供我们进行都写的分离呢?

要实现DDR的快速的便捷的分离,在读写分离之前,我们必须得知道DDR读写信号之间的特征差异。首先,看看SPEC里面的定义:

方法一:preamble的差异
在每次的burst之前,DQS会从高阻态切换到一段负脉冲,然后才开始正常的读写。这段负脉冲,我们叫做preamblepreamble实际上是在读写前,DQS提前通知DRAM芯片或者是controller的信号)。一般说来,读数据DQSpreamble宽度要大于写数据。对于DDR3,情况就更简单了。因为在DDR3中,读数据的preamble是负脉冲,写数据的preamble是正脉冲。

方法二:幅度上的差异

一般在DRAM端进行测试,写数据从memory controller出来,经过了主板PCB板,内存插槽和内存条PCB板,到达DRAM颗粒的时候,信号已经被衰减了,而读数据刚刚从DRAM出来,还没有经过任何的衰减,因此读数据的幅度要大于写数据。如下图所示

ReadWrite

方法三:

写数据是DQSDQ centre-align(中间对齐), 读数据DQSDQedge align(边沿对齐)memory controller在接收到内存的读数据时,在controller内部把DQSDQ的相位错开90度,实现中间对齐来采样(这个过程示波器就看不到咯);

方法四:斜率的差异:

读数据的斜率大于写数据。一般在DRAM端进行测试,写数据从memory controller出来,经过了主板PCB板,内存插槽和内存条PCB板,到达DRAM颗粒的时候,信号已经被衰减了,所以,斜率也小一些;而读数据刚刚从DRAM出来,还没有经过任何的衰减,因此读数据的斜率要大于写数据。也可以从下图得到区分。

ReadWrite



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