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C-V测量技术、技巧与陷阱概述

在之前的文章 “半导体C-V测量基本原理[1]”中曾经谈到过,电容-电压测试长期以来被用于判断多种不同器件和结构的各种半导体参数,范围从MOSCAP、MOSFET、双极结型晶体管[2]和JFET到III-V族化合物器件、光伏(太阳能)电池[3]、MEMS器件、有机薄膜晶体管(TFT)显示器、光电二极管和碳纳米管[4]。研发实验室广泛利用C-V测量技术评测新材料、工艺、器件和电路。负责产品和良率增强的工程技术人员利用它们优化工艺和器件性能;可靠性工程师利用这类测量技术对供货商的材料进行资格检验,监测工艺参数,分析失效机理。毋庸置疑,它们是半导体特征分析与测试的基础。

本文概述了如何针对特定的应用选择最合适类型的C-V测量仪器,以及某些C-V测试的典型功能及其参数提取限制。本文还介绍了连接探针台以及如何校正探针尖的技巧。最后,本文探讨了识别和校正典型C-V测试误差的方法。

半导体C-V测试目前可以采用三种不同的电容测量技术:常用的交流阻抗电容计、准静态电容测量以及射频技术(采用矢量网络分析仪和射频探测器)。接下来我们简要介绍一下每种技术。

 


[1] 半导体C-V测量:

[2] 双极结晶管:

[3] 太阳能电池:

[4] C-V测量:

 

博主
lihui_cui@sohu.com
KEITHLEY 老马的博客
一名潜伏在测试测量行业的工程师,就职于吉时利(北京)测量仪器有限公司。
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