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“另一种”阻变存储器单元

在上篇文章中,我提到了另一种由美光(Micron)授权并且已由IBM进行评估的另一种阻变存储器单元,将作为目前企业硬盘技术可能的接替者。如果你对这种阻变存储器单元技术不熟悉,请不要惊讶。这可能是因为它有着多种不同的命名。

 

这种于2002年授权给美光的知识产权,在2004年同样授权给了英飞凌(Infineon)。但在英飞凌公司,它被称为CBRAM或传导桥接RAM。IBM将其置于“丝状电阻材料”这一大类之中,并且称其为“固体电解质”RAM或在固态硬盘替代技术中取其首字母SE以示区分。通过维基百科我们可以了解到,NEC同样也开发了一种这种单元结构的变体,叫做Nanobridge,而Sony则将他们的版本称为电解质存储器。IMEC在2008年启动了一个针对这一特定技术的开发项目并将其称为RRAM或阻变存储器。如果你出席了近期在加州Santa Clara召开的闪存峰会,这种技术就被Unity Semiconductor简要提及并称为Kozicki。

 

这项技术的基础研究与开发工作正在亚利桑那州立大学固态电子学研究中心的Michael Kozicki博士领导下进行着。他对这项技术的命名为PMCm,即可编程金属化单元存储器。

 

大学对此项研究工作的管理安排可谓利弊参半。一个优势在于研究的开展不依赖于典型的商业计划启动基金,因此能够持续地进行下去。然而,来源于学术圈的资金受预算的控制,并且基于各种条款的研究拨款可能并不能充分察觉最终的市场机遇。

 

与大学之间的从属关系同时也给商业化进程注入了一个不确定因素。由于一些重要的资源仍然在学校的掌控之下,于是Axon Technologies Corporation作为一家独立的机构被建立起来专门管理商业化进程。

 

相变存储器和可编程金属化单元存储器均依赖于元素周期表中的氧硫族元素材料,但基于不同的活化技术。关于PMCm数据保存机制的动态描述,详见网站www.axontc.com.

 

这一技术的市场定位在哪呢?

从广义上,所有的存储器技术都在成本和性能上相互竞争。有谁曾经想到过NAND会在服务器领域开始接替DRAM?

 

在IBM探求新的机遇的过程中,这两种技术事实上看起来却像在相互恭维。 2009年7月14日授予IBM的编号为7,560,721的专利就提出了一种由一个相变存储器单元,一个第一类电极,以及一个位于两者之间的丝状电阻材料层。

 

从狭义上,现今各种规格的比较只能为任何新兴的未来潜力提供一个大致的参考。因为在技术上出现重大突破或者在市场上出现未曾预料到的崭新应用等机遇往往存在。

 

此外,技术的发展与进步,尤其是新技术,往往倾向于从最近的成功应用的技术发展而来。因此,未来的技术发展路线会在很大程度上受到初始市场切入点的影响。

 

这听起来像是非常随意的不科学的比较。然而,就这两种技术来说,初始的市场切入点目前看起来差别很大。随着这些不同切入点市场潜力的不断扩大,我预计这两种技术将会朝着不同的方向发展,并且在他们相互之间展开直接竞争之前都将达到很高的产量。

博主
huangna16@yahoo.com.cn
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