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场效应管三极管导通条件

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就可以了。
但是,场效应管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止。
开关只有两种状态通和断,三极管和场效应管工作有三种状态,1、截止,2、线性放大,3、饱和(基极电流继续增加而集电极电流不再增加)。使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路,一般以晶体管截止,集电极不吸收电流表示关;以晶体管饱和,发射极和集电极之间的电压差接近于0V时表示开。开关电路用于数字电路时,输出电位接近0V时表示0,输出电位接近电源电压时表示1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状态。
场效应管按沟道分可分为N沟道和P沟道管(在符号图中可看到中间的箭头方向不一样)。
   按材料分可分为结型管和绝缘栅型管,绝缘栅型又分为耗尽型和增强型,一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管,并且大多采用增强型的N沟道,其次是增强型的P沟道,结型管和耗尽型管几乎不用。
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.
什么叫场效应管?
     FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。然而,由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同,能构成技术性能非常好的电路。

三极管的导通条件:
三极管的导通条件是:发射结加正向电压,集电结加反向电压。
发射结加正向电压,就是基极和发射极之间所加电压Ube,是按箭头的指向加PN结的电压,即硅管加0.7V;锗管加0.2V。
集电结加反向电压,就是在集电结的PN结上加反压Ube才能把基区的电荷吸引过来、。此电压较高,在手机中一般为1~3.6V。
PNP三极管的导通电压是Ue>Ub>Uc;NPN三极管为Uc>Ub>Ue。

百度知道这样回答对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件. 要想使管子饱和导通,则应该(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,Uc>Ub.

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