华虹半导体受益功率器件,一季度净利率创下两年来新高

芯思想 2019-05-10 08:35


2019年5月9日,华虹半导体公布2019年第一季度2019年1月1日至3月31日财报营收为2.21亿美元,相2018年第四季度的2.5亿美元下滑了11.56%2018第一季2.11亿美元增长5%

 

第一季度财报分析

 

财报显示,本期毛利为7100万美元,相2018年第四季度的8458万美元下滑了16.1%,相2018年第一季為6739万美元增长5.4%。季毛利率為32.2%,相比2018年第四季33.9%减少1.7个百分点,相较2018年年第一季32.1%增加0.1个百分点

 

本期净利为4664万美元,同比增长16%,环比下滑4%;本期净利率21.13%,创下近十个季度以来的新高,录得历史第三高。

 

工艺节点来看,0.13um及以下工艺营收占比 38.20%,0.15um/0.18um工艺营收占比11.60%,0.25um工艺营收占比 1.10%,而0.35um及以上工艺营收占比49.10%。具体来看,来自0.35um及以上工艺营收1.06亿美元,同比增长1.7%,受益于超结产品增长;来自0.13um及以下工艺营收8420亿美元,同比增长20%,受益于逻辑产品和MCU的增长;来自0.15um/0.18um工艺营收为2570万美元,同比减少10%,主要由于模拟产品需求减少;来自0.25um工艺营收为250万美元,同比大减47%,主要是由于MCU和逻辑产品需求减少。

 

应用领域来看,消费电子产品领域为61.40%工业及汽车领域为20.30%通讯领域13.60%计算机领域为4.70%本季消费电子产品领域依旧是公司第一大营收来源,由于智能卡芯片需求的减少,合计1.36亿美元,较去年同期1.43亿美元下滑5%;工业及汽车领域营收 4480万美元,同比增长22%,受益于智能卡芯片和IGBT产品需求增加;通讯领域营收 3010万美元,同比增长43%,受益于智能卡芯片和通用MOSFET的需求增加;计算机领域营收1030万美元,同比增长6.4%,受益于MCU产品增长。

 

地区营收来看,中国大陆的营收占比依然过半,达到了52.8%;美国营收占比18.6%,亚洲地区不含中国大陆、日本营收占比11.3%欧洲地区占比占比 8.4%,日本占比占比 8.9%。具体来看,来自中国营收1.17亿美元,同比减少0.7%,主要是由于模拟产品需求减少;受益通用MOSFET产品的需求增长,来自美国营收达4110万美元,同比增长2%;受益于MCU和逻辑产品的增长,来自日本的营收达1960万美元,同比大增62%;受益通用MOSFET和智能卡芯片的增长,来自欧洲的营收为1850万美元,同比增长12%;来自亚洲地区不含中国大陆、日本的营收 2500万美元,同比增长5%,受益于MCU增长。

 

产能和晶圆付运量来看,华虹半导体本期总产能52.5片,较上季52.2万片增长3000片,是由于2号晶圆厂产能扩充产能利用率仅为87.3%,相比上季是97.3%,去年同期是96.7%,产能利用率下滑达10个百分点,华虹半导体本季晶圆付运量为44.6万片,较上季 53.1万片下滑16%,较去年同期45.4万下滑1.8%。公司认为是客户需求减少所致。

 

华虹半导体本期资本支出1.1亿美元,其中8490万美元用于无锡基地。

 

无锡基地12英寸晶圆厂进展 

 

刚刚上任总裁的唐均君表示,无锡基地12英寸晶圆生产线还牌开建阶段,工程一切顺利,预计将在6月完成厂房和洁净室建设,在第二季度开始搬入设备,并在第四季度开始投产。目前,有关12英寸的工艺研发、工程、销售和市场团队正在紧锣密鼓开发新产产品,为12英寸晶圆生产线的初始量产做好准备。

 

据悉,华虹无锡集成电路研发和制造基地项目占地约700亩,总投资100亿美元,一期项目总投资约25亿美元,新建一条工艺等级90~65纳米、月产能约4万片的12英寸特色工艺集成电路生产线,支持5G和物联网等新兴领域的应用。

 

相信随着无锡基地的投产,公司产能受限的情况必将得到极大的缓解,并使公司能提供更好的解决方案以满足客户的整体需求这将使公司的营收和利润更上层楼。

 

根据规划,首期项目实施后,将适时启动第二条生产线建设。

 

功率器件助力,华虹半导体展宏图

 

华虹半导体2002年开始自主创“芯”路,是全球第一家关注功率器件的8英寸纯晶圆代工厂。2002年到2010年,陆续完成先进的沟槽型中低压MOSFET/SGT/TBO等功率器件技术开发;2010年,高压600V到700V沟槽型、平面型MOSFET工艺进入量产阶段;2011年第一代深沟槽超级结工艺进入量产阶段,同年1200V沟槽型NPT IGBT工艺也完成研发进入量产阶段;2013年,第2代深沟槽超级结工艺推向市场,同时600V到1200V沟槽场截止型IGBT(FDB工艺)也成功量产

 

作为华虹半导体的核心业务,公司在功率器件方面主要聚焦在以下4个方面

 

一是沟槽型MOS/SGT适合小于300V电压的应用,如汽车辅助系统应用12V/24V/48V等硅基MOSFET是功率器件工艺的基础,后续工艺都是基于这个工艺平台不断升级、完善华虹宏力致力于优化pitch size,提升元胞密度,降低导通电阻华虹半导体MOSFET产品已通过车规认证,并配合客户完成相对核心关键部件如汽车油泵、转向助力系统等的应用。截至2018年第4季度,华虹半导体8英寸MOSFET晶圆出货已超过700万片。

 

二是超结MOSFET工艺(DT-SJ),涵盖300V到800V,应用于汽车动力电池电压转12V低电压及直流充电桩功率模块超级结MOSFET最显著特征为P柱结构,华虹宏力采用拥有自主知识产权的深沟槽型P柱,可大幅降低导通电阻,同时,在生产制造过程中可大幅降低生产成本和加工周期。超级结MOSFET适用于500V到900V电压段,它的电阻更小,效率更高,散热相对低,所以在要求严苛的开关电源里有大量的应用。

 

超结MOSFET华虹半导体中流砥柱2011年,第一代超结MOSFET工艺开始量产;2013年,通过技术创新,优化pitch size,降低结电阻,推出第二代超结MOSFET工艺;2015年,进一步优化,推出2.5代超结MOSFET工艺;2017年,第三代超结MOSFET工艺试生产。

 

李健表示,相比前代的平面型栅极,第三代在结构上有了创新,采用垂直沟槽栅Vertical trench)结构,有效降低结电阻,进一步优化pitch size,可提供导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的产品解决方案。垂直沟槽栅超结MOSFET是华虹半导体自主独立开发、拥有完全知识产权的创“芯”技术。

 

华虹半导体的超结MOSFET工艺每两年就会推出新一代技术,用单位面积导通电阻来衡量的话,每一代新技术都会优化25%以上,持续为客户创造更多价值。

 

三是作为电动汽车核心的IGBT,主要是在600V到3300V甚至6500V高压上的应用,如汽车主逆变、车载充电机等硅基IGBT作为电动汽车”,非常考验晶圆制造的能力和经验。从器件结构来看,IGBT芯片正面类似普通的MOSFET,难点在于实现背面结构

 

华虹半导体是国内为数不多可用8英寸晶圆产线为客户代工的厂商之一公司拥有背面薄片、背面高能离子注入、背面激光退火以及背面金属化等一整套完整的FS IGBT的背面加工处理能力,使得客户产品能够比肩业界主流的国际IDM产品。

 

华虹半导体IGBT早期以1200V LPT、1700V NPT/FS为主;目前集中在场截止型FS工艺上,以600伏和1200伏电压段为主;3300V到6500V高压段工艺的技术开发已经完成,正与客户在做具体的产品验证。

 

四是GaN/SiC新材料,未来五到十年,SiC类功率器件会成为汽车市场的主力,主要用于主逆变器和大功率直流快充的充电桩上。

 

据悉,宽禁带材料GaN/SiC)优势非常明显,未来10到15年,宽禁带材料的市场空间非常巨大,但目前可靠性还有待进一步观察。

 

作为全球功率半导体器件代工的最大公司,相信华虹半导体未来必将在宽禁带材料GaN/SiC)发力!

 

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