长江存储将于今年8月推出Xtacking 2.0

芯思想 2019-05-16 17:40


2019年5月15日,长江存储联席首席技术官(Co-CTO)汤强出席GSA MEMORY+峰会,并做了题为《三维闪存技术发展的展望》,给大家讲解了长江存储的三维闪存研发新进展。汤强在峰会上透露长江存储将于今年8月推出Xtacking 2.0。



汤强表示,目前处于数据大爆炸时代,每天都在产生海量的数据,预估到2022年NAND闪存数位量将为861ZB,约为2015年87ZB的10倍。


事实上,存储量的增加跟不上需求的步伐,为了获得更高的存储量,各大NAND存储公司正在寻找更多方法,存储技术从SLC到MLC到FLC,现在正迈向QLC。为了维持更多的竞争力,面对纷繁复杂的各类应用场景的需求,需要定制化的存储方案。


要完成一个新的存储解决方案,开发周期约12-18个月,时间似乎有点漫长。


作为中国三维闪存的先行者,长江存储于2018年8月推出自有技术Xtacking™,在NAND获取到更高的I/O接口速度及更多的操作功能的同时,产品开发时间可缩短三个月,生产周期可缩短20%,从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。


Xtacking™可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后,Xtacking技术只需一个处理步骤,就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键合接通电路,而且只增加了有限的成本。


汤强在峰会上表示将于今年8月推出Xtacking 2.0。面对三星、东芝、西部数据、SK海力士、美光等在3D NAND技术上的快速发展,长江存储即将在8月份发布的Xtacking2.0,是在Xtacking1.0技术上的突破,意味着在自主研发的路上取得了进一步的成绩,也进一步凸显了其技术优势。



长江存储是中国存储器基地的承担单位,2016223日国务院批复国家存储器基地落户武汉;2016328日国家存储器基地奠基;2016726日长江存储科技有限责任公司成立;20161230日正式开工建设。


长江存储代表国内实现3D NAND量产的全新起点,2018年第四季度进入小规模量产,2019年进入64256Gb 3D NAND的技术研发;411日在“2018供应商大会”上宣布,公司的323D NAND芯片已经接获首笔订单,数量达10776颗芯片,将应用在8GB USD卡上,这代表国内3D NAND芯片研发已经跨出成功的第一步,不但研发成功,并且进入商用化!


让我们祝福长江存储明天更辉煌!






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