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MOS管应用概述(四):基本参数
热度 15 凤舞天 2018-12-1 11:34
MOS管应用概述(四):基本参数
mos管的基本参数,大家熟悉的必然是Ids电流,Ron导通电阻,Vgs的阈值电压,Cgs、Cgd、Cds这几项,然而在高速应用中,开关速度这个指标比较重要。 上图四项指标,第一项是导通延时时间,第二项是上升时间,第三项是关闭延时时间,第四项是下降时间。定义如下图: 在高速H桥应用中,MOS管内部的反向并联寄生二极管的响应速度指标Trr,也就是二极管的反向恢复时间这个指标很重要,否则容易炸机,下图为高速二极管。 高速下,二极管也不是理想的,二极管导通后,PN节中充满了电子和空穴,当瞬间反向加电的时候,需要时间恢复截止,这个类似一扇门打开了,需要时间关上,但在高速下,这个关上的时间太长,就会导致H桥上下管子导通而烧坏。所以在高速应用中,直接因为MOS管工艺寄生的二极管的反向恢复时间太长,所以需要用特殊的工艺制作实现高速的内置二极管,但哪怕特殊工艺制作的,其性能也达不到独立的高速二极管性能,只是比原MOS管寄生的指标强一些而已,但已经满足大部分软开关的需求了,500KHz下没问题。比如Infineon的C6系列,后缀带CFD的管子,内部的二极管就是高速的。 若有些场合需要更高速的二极管,而内置的二极管性能达不到,则需要特殊的处理方式,MOS管先串联二极管,再外部并二极管,这样子实现,可以应用于频率超过500KHz的场合。
个人分类: 电源|2516 次阅读|5 个评论
MOS管应用概述(一):等效模型
热度 4 凤舞天 2018-11-11 18:21
MOS管应用概述(一):等效模型
MOS管相比于三极管,开关速度快,导通电压低,电压驱动简单,所以越来越受工程师的喜欢,然而,若不当设计,哪怕是小功率MOS管,也会导致芯片烧坏,原本想着更简单的,最后变得更加复杂。这几年来一直做高频电源设计,也涉及嵌入式开发,对大小功率MOS管,都有一定的理解,所以把心中理解的经验总结一番,形成理论模型。 MOS管等效电路及应用电路如下图所示: 把MOS管的微观模型叠加起来,就如下图所示: 我们知道,MOS管的输入与输出是相位相反,恰好180度,也就是等效于一个反相器,也可以理解为一个反相工作的运放,如下图: 有了以上模型,就好办了,尤其从运放这张图中,可以一眼看出,这就是一个反相积分电路,当输入电阻较大时,开关速度比较缓慢,Cgd这颗积分电容影响不明显,但是当开关速度比较高,而且VDD供电电压较高,比如310V下,通过Cgd的电流比较大,强的积分很容易引起振荡,这个振荡叫米勒振荡。所以Cgd也叫米勒电容,而在MOS管开关导通或者关断的那段时间,也就是积分那段时间,叫米勒平台,如下图圆圈中的那部分为米勒平台,右边的是振荡严重的米勒振荡: 因为MOS管的反馈引入了电容,当这个电容足够大,并且前段信号变化快,后端供电电压高,三者结合起来,就会引起积分过充振荡,这个等价于温控的PID中的I模型,要想解决解决这个米勒振荡,在频率和电压不变的情况下,一般可以提高MOS管的驱动电阻,减缓开关的边沿速度,其次比较有效的方式是增加Cgs电容。在条件允许的情况下,可以在Cds之间并上低内阻抗冲击的小电容,或者用RC电路来做吸收电路。 下图给出雨滴科技常用的三颗大功率MOS管的电容值:LCR电桥直接测量,具体型号就不提了。 从图上可以看出,Inifineon6代MOS管和APT7代MOS管性能远远不如碳化硅性能,它的各个指标都很小,当米勒振荡通过其他手段无法降低时,可以考虑更换更小的米勒电容MOS管,尤其需要重视Cgd要尽可能的小于Cgs。 下期 讲解MOS管的米勒振荡 。
个人分类: 电源|8384 次阅读|2 个评论
60V 大电流 N沟道MOS 低内阻
qzf51dz_291817696 2014-11-10 16:20
台资 国产中低压大电流 MOS管   60V系列   80V  190A 180A 150A 内阻 3mΩ 3.6mΩ4.8mΩ 100V 180A 130A 110A  内阻  4..5mΩ 5.5mΩ60V 6A 20A 50A 70A 100A 210A 内阻 6.5 mΩ 3 mΩ  40V   18A 60A 120A 200A 280A 300A   4 mΩ 2.8mΩ  1.8 mΩ  主打20--200V 以下低压MOS  大电流低内阻 性价比最高 汽车级别 兼容IR AOS (经典客户 大众-日本企业 国内电视机 电机行业 均上市企业)  丘展富 13827482730  QQ1481000462  0306    60V  3A  内阻 75  SOT-23  SOT-23-3L  VS 0306     60V    3A     内阻 75  SOT-23  SOT-23-3L  VS6015    -60V   -15A    内阻 75  DFN5*6  TO-252 VS4559   N60V   6A      内阻 75  SOP8  N+P VS45959  P-60V  -506A  内阻 45  SOP8  N+P VS0606   60V     6A    内阻 40  SOT23-3 VS20N06  60V   20A     内阻 35  DFN5*6 VS6038   60v    25A    内阻 38  TO-251  TO-252 VS6050   60V   50A     内阻 8   TO-220  TO-252 VS6070   60V  70A      内阻 6.5  TO-252 VS6880   60V  70A      内阻 6.5  TO-252 VS6080   60V   100A    内阻 6.5  TO-220   TO252 VS3206  60V    210A    内阻 3    TO-220  TO-247
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求关注--关于MOS的物理性质
热度 2 dnangellight_420936587 2013-10-13 08:23
看到这个论坛里不少人写过MOS的物理性质,但是大概读了一下,数式比较少,不是很让人易懂,我的VLSI系列有一部分是要专门写MOS的,但是鉴于大家需求,就着手计划写MOS的物理特性。我写的这个MOS部分,不只是大学本科的那些基础,更多的是来自MOS开发与设计公司(Intel,AMD)和教授所写的论文结合而成。因为大家对MOS的普及认识还是很欠缺的,那些基础很多大都是在180nm级别以上的,想要了解世界最先端的14nm技术的实现,需要大量的量子力学的知识。我想通过这个让大家表一下态,是不是要现在就引入MOS的详细解说,或者是跟着我VLSI系列走(比较慢)。求留言
个人分类: S1 VLSI到计算机架构系列|497 次阅读|2 个评论
第一章1.1 回顾CMOS的一些知识
dnangellight_420936587 2013-10-11 10:07
  对于CMOS大家多少都有所耳闻吧,即使不知道也没关系。因为我在这里会从零基础讲到专业级设计的内容也就是从通俗易懂到“高深”理论(其实一点都不难懂,前提是自己动手做)~大家看得时候感觉困的话就在下面说一句 。还有很重要的一件事,就是一定要动手去画一些线路图,我会找一些练习题让大家适应~。   闲话少说,进入正题。CMOS就是现在你用的手机,电脑,以及差不多任何带电能动的东西,拆开之后会有一块布满元器件密密麻麻的板子,那上面有相对来说比较大的黑色矩形状的小片,那个原来叫SSI(Small-scaleintegration)小尺度集成电路,MSI(Medium-scaleintegration)中等尺度集成电路,LSI(Large-scaleintegration)大尺度集成电路,而现在被叫做VLSI(verylarge-scaleintegration)超大尺度集成电路。   集成电路,顾名思义,就是把元器件集中在一起实现所需功能的电路。那么集成的是什么呢?想想高中的电路,无非是电阻,电容,电感,晶体管,开关(说小灯泡也没错。。。就是不太合适)。对的,集成的基本就“等同于”这些东西的替代品,(有人问,二极管神马的呢--那些都可以适当有以上这些东西组合而成)。这个“等同于”的东西就被称为CMOS。而CMOS并不是一个元件!!看英文ComplementaryMetalOxideSemiconductor--互补的氧化物半导体~互补嘛至少要有两个。。。所以CMOS的基本构成元素是MOSFETs(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistors)氧化物场效应晶体管(。。。神马名词下面解释),根据其制造特性分公母--即nMOS和pMOS(这样才能互补嘛)。这里大家看到这些名词,有些不知道的会被完完全全的唬住,估计要睡着了,别急下一节听我详细道来~
个人分类: S1 VLSI到计算机架构系列|286 次阅读|0 个评论
【博客大赛】MOS开关电路
royalark_912907664 2013-3-20 11:59
MOS 开关电路   NMOS保证截止发生在栅极G电位小于等于源极S PMOS保证截止发生在栅极G电位大于等于源极S。     寄生二极管是因为基底与源极间连接形成的PN结。   MOS开关电路 PMOS用于高边开关,电源输入-PMOS-负载-电源地 NMOS用于低边开关,电源输入-负载-NMOS -电源地   Proteus仿真PMOS开关电路,如图所示   在R4的输入端加一定宽度脉冲,控制Q2的导通和截止。 Q2导通时,Q1的栅极电压14V,小于源极28V,Q1导通,LED亮。   Q2截止时,Q1的栅极电压28V,等于源极28V,Q1截止,LED灭。   Q1的漏极D和源极S反接,LED 一直亮。 由附生二极管导通导致了开关管的功能不能达到。 不知道是不是这个原因。  
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【TI博客大赛】【原创】模拟电子学习自我总结-初学者参考
热度 13 357854360_973111976 2012-7-10 12:57
       现在是信息化快速发展的时代,对于电子产品的更新换代之快,大家都能感觉到。但对于我们学习电子的朋友,也许都会有同样的感觉那就是,数字技术要简单,好理解,而模拟电子技术难理解,较抽象。数字就是0和1,而模拟的值是无穷的,模拟电子的测试,设计等等,考虑涉及的问题也较广,需要有几年的积累,才能说是自己少懂。      虽然现在数字技术发展如此之快,但数字永远不会代替模拟的。模拟学习,要懂得一些管子的知识,像常见的三级管了:NPN,PNP,CMOS管等,了解他们的伏安特性。理解放大原理,常用的放大倍数计算的公式,会画电路的微变电路,弄清楚输入电阻和输出电阻。     在一部分就是基本的放大电路:射级放大,集电极放大,基级放大。对电路的分析,知道放大是放大的什么。听一些老师说,学习模拟电子,只要把放大电路学好,就差不多了。在者就是要学会基本的器件连接电路,像555常用的电路。A/D,D/A转换在你以后的学习和生活中是用的最多的,因此对这部分要认真学习,理解其中的原理,最好是多做实验,实践出真知啊。学校中要打好基础,尤其是实践这块,等以后工作了,真正做产品了,就是检验你基础的时候了。
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中文电影,超搞笑的英文译名
tomyzh_615072987 2011-6-16 09:53
《Farewell My Concubine》――再见了,我的小老婆(这可是《霸王别姬》的英文译名啊) 《Seventeen Years》――十七年(故弄玄虚,《回家过年》) 《Ashes of Time》――时间的灰烬(《东邪西毒》,这个译名意味深长,无论你是东邪还是西毒,武功再高还不是最后都成了时间的灰烬?) 《All Men Are Brothers: Blood of the Leopard》――四海之内皆兄弟:豹子的血(《水浒传》,《水浒传》赛珍珠版的英文译名是《四海之内皆兄弟》) 《Chinese Odyssey 1: Pandora's Box》――中国的奥德赛1:潘多拉宝盒(《大话西游之月光宝盒》,这个绝对是入乡随俗了,不过好像都挨不上边耶) 《Dream Factory》――梦工厂(《甲方乙方》,够牛的) 《Steel Meets Fire》――钢遇上了火(翻译遇上了鬼?《烈火金刚》) 《Third Sister Liu》――第三个姐姐刘(《刘三姐》,典型的不动脑筋) 《In the Mood for Love》――在爱的情绪中(《花样年华》,恋爱中的译者) 《Woman-Demon-Human》――女人-恶魔-人类(《人鬼情》,失恋中的译者) 《From Beijing with Love》――从北京带着爱(到香港换不了菜,《国产007》) 《Flirting Scholar》――正在调情的学者(别人看《红楼梦》看到诗,你看到了……《唐伯虎点秋香》) 《Royal Tramp》――皇家流浪汉(《鹿鼎记》,怎么不译成 “ 皇家马德里”?) 《Flowers of Shanghai》――上海之花(pg18?《海上花》) 《A Better Tomorrow》――明天会更好(“玉山白雪飘零,燃烧少年的心……”《英雄本色》) 《Saviour of the Soul》――灵魂的救星(啊呸!真不要脸!《九一神雕侠侣》) 《Romantic of Three Kingdoms》―― 三个王国的罗曼史(居然是《三国演义》) (推荐/DD)
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致采购和研发的公开信
tomyzh_615072987 2011-6-15 17:44
还在为找不到货而烦恼吗? 还在为不知道选什么样的管子而纠结吗? 找我啊,把烦恼和纠结交给我吧,一切都迎刃而解!
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